An asymmetrical bulk-modified composite MOS transistor with enhanced linearity

In this work, an asymmetrical bulk-linearized composite MOSFET is presented, with an enhanced linear range and an equivalent saturation voltage of up to several hundred mV even in weak inversion, allowing to implement large MOS resistors. Some preliminary measurements are presented, as well as 150MΩ...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Arnaud Maceira, Alfredo (author)
অন্যান্য লেখক:	Chacón Rodríguez, Alfonso (author), Miguez de Mori, Matías Rafael (author), Gak Szollosy, Joel (author), Puyol, Rafael (author)
বিন্যাস:	article
ভাষা:	ইংরেজি
প্রকাশিত:	2019
বিষয়গুলি:	Analog integrated circuits CMOS Linearization techniques Analog filters MOS resistor
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://hdl.handle.net/10895/1552
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!