TFET-Based Circuit Design Using the Transconductance Generation Efficiency gm/Id Method

Tunnel field effect transistors (TFETs) have emerged as one of the most promising post-CMOS transistor technologies. In this paper, we: 1) review the perspectives of such devices for low-power high-frequency analog integrated circuit applications (e.g., GHz operation with sub-0.1 mW power consumptio...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

מחבר ראשי:	Barboni, Leonardo (author)
מחברים אחרים:	Siniscalchi, Mariana (author), Sensale Rodríguez, Berardi (author)
פורמט:	article
שפה:	אנגלית
יצא לאור:	2015
נושאים:	Si-FinFETs Tunnel field effect transistors (TFET) Ultra-low power design gm/Id method One-stage common-source amplifier Two-stage operational transconductance amplifier (OTA) with Miller effect compensation Electrónica
גישה מקוונת:	https://hdl.handle.net/20.500.12008/42722
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!