Experiencias en diseño y prueba de fotodetectores en circuitos integrados stándard : del fotodiodo a la cámara CMOS
Las facilidades de diseño se extienden cada vez mas, y hoy es posible pensar en sistemas fotodetectores a medida, en tecnologías estándar ya sea analógicas o digitales. El presente trabajo revisa por un lado las posibilidades de trabajo con fotodiodos en circuitos integrados CMOS, así como plantea e...
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| Format: | article |
| Language: | Spanish |
| Published: |
2000
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://hdl.handle.net/20.500.12008/20804 |
| Tags: |
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| Summary: | Las facilidades de diseño se extienden cada vez mas, y hoy es posible pensar en sistemas fotodetectores a medida, en tecnologías estándar ya sea analógicas o digitales. El presente trabajo revisa por un lado las posibilidades de trabajo con fotodiodos en circuitos integrados CMOS, así como plantea el diseño y muestra resultados de la prueba de dichos dispositivos. Para caracterizar los mismos se diseñaron y fabricaron las siguientes estructuras: cuatro fotodiodos de diferentes tipos, y una línea de 32x1 fotodiodos con circuitería APS para cada pixel, que es la base de las cámaras digitales modernas. Este trabajo pretende ser un primer paso en el diseño de sensores ópticos con su detección y procesamiento de señal primario incorporado. La primer sección parte del fotodiodo hasta la cámara CMOS indicando las dificultades y las soluciones de diseño en un marco general, presentando también los diseños concretos enviados a fabricar. En la segunda sección se muestran los resultados de la caracterización de los fotodiodos, incluyendo curvas características y respuesta espectral. Finalmente trabajando sobre la respuesta espectral medimos el grosor de las capas de nitruro y óxido que recubren al silicio en la tecnología empleada. |
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